5A 200VN

5A 200VN;

5A 200V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet B5n20 to-251

PARÂMETRO		SÍMBOLO	VALOR		UNIDADE
			5N20/I5N20/E5N20/B5N20/D5N20	F5N20
Tensão da fonte Drian		V_DS	200		V
Tensão de drenagem do portão		V_GS	±30		V
Corrente de drenagem (contínua)		EU_D(T=25ºC)	5		A
		(T=100ºC)	3.4		A
Corrente de drenagem (pulsada)		EU_DM	20		A
Energia de avalanche de pulso único		E_COMO	125		mJ
Recuperação de pico de diodo dv/dt		dv/dt	5		V/ns
Dissipação Total	Ta=25ºC	Tomada de força	2	2	C
	TC=25ºC	Tomada de força	40	20	C
Temperatura de junção		T_j	-55~150		ºC
temperatura de armazenamento		T_stg	-55~150		ºC

Características

Troca rápida

Baixa resistência ON (Rdson≤0,65Ω)

Carga baixa do portão (Tipo: 7nC)

Baixas capacitâncias de transferência reversa (Typ: 8pF)

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