Vishay Intertechnology 650 VE Series Power MOSFET oferece os FOMs RDS(ON)*Qg e RDS(ON)*Co(er) mais baixos do setor

O dispositivo de quarta geração permite altas classificações de potência e densidade, ao mesmo tempo que reduz as perdas de condução e comutação para aumentar a eficiência

MALVERN, Pa., 28 de agosto de 2023 (GLOBE NEWSWIRE) - Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) apresentou hoje um novo MOSFET de potência da série 650 VE de quarta geração que oferece alta eficiência e densidade de potência para telecomunicações, indústria, e aplicativos de computação. Em comparação com dispositivos da geração anterior, o SiHP054N65E de canal n Vishay Siliconix reduz a resistência em 48,2%, ao mesmo tempo que oferece uma resistência 59% menor vezes a carga do portão, um valor chave de mérito (FOM) para MOSFETs de 650 V usados ​​em aplicações de conversão de energia.

A Vishay oferece uma ampla linha de tecnologias MOSFET que suportam todos os estágios do processo de conversão de energia, desde entradas de alta tensão até saídas de baixa tensão necessárias para alimentar os mais recentes equipamentos de alta tecnologia. Com o SiHP054N65E e outros dispositivos da família da série 650 VE de quarta geração, a empresa está atendendo à necessidade de melhorias na eficiência e na densidade de energia em dois dos primeiros estágios da arquitetura do sistema de energia – correção do fator de potência (PFC) e subsequente CC/ Blocos conversores DC. As aplicações típicas incluirão servidores, computação de ponta e armazenamento de dados; UPS; lâmpadas de descarga de alta intensidade (HID) e iluminação com reator fluorescente; inversores solares; equipamento de solda; aquecimento por indução; acionamentos de motores; e carregadores de bateria.

Construído com base na mais recente tecnologia de superjunção da Série E com eficiência energética da Vishay, a baixa resistência típica do SiHP054N65E de 0,051 Ω a 10 V resulta em uma classificação de potência mais alta para aplicações> 2 kW e permite que o dispositivo atenda ao Open Rack V3 do Open Compute Project ( padrões ORV3). Além disso, o MOSFET oferece carga de porta ultrabaixa até 72 nC. O FOM resultante de 3,67 Ω*nC é 1,1% menor que o MOSFET concorrente mais próximo da mesma classe, o que se traduz em perdas de condução e comutação reduzidas para economizar energia e aumentar a eficiência. Isso permite que o dispositivo atenda aos requisitos específicos de eficiência do titânio em fontes de alimentação de servidores ou atinja 96% de eficiência máxima em fontes de alimentação de telecomunicações.

Para melhorar o desempenho de comutação em topologias de comutação rígida, como PFC, meia ponte e projetos de dois comutadores diretos, o MOSFET lançado hoje fornece baixas capacitâncias de saída efetivas típicas Co(er) e Co(tr) de 115 pF e 772 pF, respectivamente. Os tempos de resistência resultantes do dispositivo Co(er) FOM são 5,87 Ω*pF, o mínimo do setor. Oferecido no pacote TO-220AB e proporcionando maior robustez dv/dt, o SiHP054N65E é compatível com RoHS, livre de halogênio e Vishay Green, e foi projetado para suportar transientes de sobretensão no modo avalanche com limites garantidos por meio de testes 100% UIS.

Amostras e quantidades de produção do SiHP054N65E já estão disponíveis. Para obter informações sobre prazos de entrega, entre em contato com o escritório de vendas local.

A Vishay fabrica um dos maiores portfólios mundiais de semicondutores discretos e componentes eletrônicos passivos que são essenciais para projetos inovadores nos mercados automotivo, industrial, de computação, de consumo, de telecomunicações, militar, aeroespacial e médico. Atendendo clientes em todo o mundo, a Vishay éO DNA da tecnologia. ® Vishay Intertechnology, Inc. é uma empresa Fortune 1.000 listada na NYSE (VSH). Mais sobre Vishay em www.Vishay.com.

O DNA da tecnologia® é uma marca registrada da Vishay Intertechnology.

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