Informação básica.
Modelo NÃO. | F8n60 |
Número do lote | 2021 |
Marca | wxdh |
Pacote de Transporte | Tubo |
Marca comercial | WXDH |
Origem | Wuxi, China |
Código HS | 8541290000 |
Descrição do produto
Descrição |
Esses VDMOSFETs aprimorados de canal N são obtidos pela tecnologia planar autoalinhada que reduz a perda de condução, melhora o desempenho de comutação e aumenta a energia da avalanche. O que está de acordo com o padrão RoHS. |
PARÂMETRO | SÍMBOLO | VALOR | UNIDADE | ||
8N60/I8N60/E8N60/B8N60/D8N60 | F8N60 | ||||
Tensão CC máxima da fonte Drian | VDS | 600 | V | ||
Tensão máxima de drenagem do portão | VGS | ±30 | V | ||
Corrente de drenagem (contínua) | EUD(T=25ºC) | 7,5 | A | ||
(T=100ºC) | 4.8 | A | |||
Corrente de drenagem (pulsada) | EUDM | 30 | A | ||
Energia de avalanche de pulso único | ECOMO | 400 | mJ | ||
Recuperação de pico de diodo dv/dt | dv/dt | 5 | V/ns | ||
Dissipação Total | Ta=25ºC | Tomada de força | 2 | 2 | C |
TC=25ºC | Tomada de força | 100 | 35 | C | |
Temperatura de junção | Tj | 150 | ºC | ||
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